{"product_id":"25aa640at-e-mny","title":"25AA640AT-E\/MNY","description":"\u003ch2\u003e Microchip 25AA640AT-E\/MNY - EEPROM SPI 64 Kbits haute fiabilité\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire EEPROM série \u003cstrong\u003e25AA640AT-E\/MNY\u003c\/strong\u003e de Microchip Technology est une solution haut de gamme de 64 kbits (8K x 8) dotée d'une interface SPI et d'une fréquence d'horloge de 10 MHz. Conçue pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales, cette mémoire non volatile fonctionne sur une large plage de tensions (1,8 V à 5,5 V) et de températures (-40 °C à 125 °C). Son boîtier compact 8-TDFN (2 x 3 mm) à montage en surface avec pastille exposée garantit d'excellentes performances thermiques et un encombrement réduit pour les systèmes embarqués exigeant une conservation fiable des données.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de mémoire de 64 Kbits avec une organisation de 8K x 8\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Interface SPI haute vitesse prenant en charge une fréquence d'horloge jusqu'à 10 MHz\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de tension d'alimentation : de 1,8 V à 5,5 V pour une intégration système flexible.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 125 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Cycle d'écriture rapide de 5 ms pour un stockage de données efficace\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier compact à montage en surface 8-WFDFN\/8-TDFN (2x3)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eTechnologie des microprocesseurs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 125°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Coussinet exposé 8-WFDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-TDFN (2x3)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To)\u003c\/a\u003e pour vos systèmes embarqués et applications industrielles. 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