{"product_id":"71024s12tygi8","title":"71024S12TYGI8","description":"\u003ch2\u003e Renesas 71024S12TYGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eRenesas 71024S12TYGI8\u003c\/strong\u003e est une solution de mémoire SRAM asynchrone haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès ultrarapides et une fiabilité exceptionnelle. Avec un \u003cstrong\u003etemps d'accès fulgurant de 12 ns\u003c\/strong\u003e et des spécifications robustes de qualité industrielle, ce circuit intégré de mémoire offre des performances constantes dans les environnements exigeants des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du médical et des télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e une capacité de 1 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 8 offre une gestion des données flexible.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eExigences d'alimentation stables :\u003c\/strong\u003e une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes standard.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 32-BSOJ (largeur de 7,62 mm) optimise l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués hautes performances nécessitant une mémoire tampon rapide\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVolatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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