{"product_id":"71256sa20ygi8","title":"71256SA20YGI8","description":"\u003ch2\u003e Renesas 71256SA20YGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone \u003cstrong\u003e71256SA20YGI8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de qualité supérieure de 256 kbits, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les systèmes industriels, automobiles et embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon de données critiques, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 20 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 32 K x 8 (capacité totale de 256 Kbits) offre une gestion flexible des données pour les contrôleurs et processeurs embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la compatibilité avec les tensions d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure une intégration transparente avec les systèmes 5 V anciens et modernes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie de montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 28-BSOJ (28-SOJ) permet des agencements de circuits imprimés compacts et des processus d’assemblage automatisés.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie SRAM volatile :\u003c\/strong\u003e cycles de lecture\/écriture rapides sans mécanisme d’usure, idéale pour les mises à jour fréquentes des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les applications microcontrôleur et FPGA\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eQualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone 71256SA20YGI8 est conçue pour les applications critiques, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels nécessitant une mise en mémoire tampon des données rapide et fiable\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et calculateurs de gestion moteur (ECU) fonctionnant dans des plages de températures étendues\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et infrastructure de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et instruments nécessitant un accès mémoire déterministe\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense soumis à des exigences de fiabilité rigoureuses\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mises à niveau des systèmes existants et assistance produit à long terme\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en semi-conducteurs ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture \u003cstrong\u003ede composants semi-conducteurs authentiques et traçables,\u003c\/strong\u003e assortis d'un support complet tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité 71256SA20YGI8 provient directement de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi sa conformité totale aux normes RoHS et son authenticité. Notre équipe technique vous accompagne dans l'intégration de cette SRAM haute performance à vos conceptions en toute sérénité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre sélection complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité allant de 64 bits à 6 To pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs authentiques avec assistance tout au long du cycle de vie\"\u003epage d'accueil HQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, bénéficiant d'une stabilité d'approvisionnement à long terme et d'une expertise technique.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des analyses techniques et des annonces de produits en visitant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique HQICKEY - Perspectives sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog Actualités et Techniques\u003c\/a\u003e qui propose des analyses d'experts et des guides d'application pour les ingénieurs en systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115961155873,"sku":"71256SA20YGI8","price":355908.82,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_IDT28-BSOJSeries_8f66281a-6ae5-4a44-9b9a-c5d2e17abd13.jpg?v=1743644190","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/71256sa20ygi8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}