{"product_id":"71v016sa15yg8","title":"71V016SA15YG8","description":"\u003ch2\u003e 71V016SA15YG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003e71V016SA15YG8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Grâce à son organisation mémoire de 64 Ko x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 15 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e temps d’accès de 15 ns et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour des opérations de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale :\u003c\/strong\u003e la configuration 64K x 16 offre un accès efficace au niveau du mot\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e boîtier 44-BSOJ (44-SOJ) pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire pour un débit maximal\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMémoire volatile :\u003c\/strong\u003e technologie SRAM pour une lecture\/écriture instantanée sans mécanisme d'usure\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La carte SRAM 71V016SA15YG8 est idéale pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire cache dans les processeurs embarqués et les microcontrôleurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire tampon dans les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage temporaire de données dans les équipements d'automatisation industrielle\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Unités de commande électroniques automobiles (ECU)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en semi-conducteurs de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003egamme de semi-conducteurs mémoire\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM de fabricants leaders tels que Renesas Electronics Corporation.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eChaque composant que nous fournissons provient directement de distributeurs agréés et fait l'objet de contrôles qualité rigoureux. Que vous conceviez des systèmes aérospatiaux, de l'électronique automobile ou des équipements de contrôle industriel, vous pouvez faire confiance à HQICKEY pour vous fournir les composants d'origine dont vos projets ont besoin.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications critiques\"\u003esemi-conducteurs haute fiabilité\u003c\/a\u003e ou consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et mises à jour sur les produits et l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e pour obtenir les dernières informations sur l'industrie, des notes d'application et des mises à jour sur les produits.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eBesoin d'aide pour choisir la solution mémoire adaptée ?\u003c\/strong\u003e Notre équipe technique est là pour vous aider à trouver la SRAM, DRAM, Flash ou EEPROM idéale pour votre application.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116126470433,"sku":"71V016SA15YG8","price":355884.59,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_IDT44-SERIES_369c0c86-d481-473e-8207-c71ef9a0faff.jpg?v=1743648621","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/71v016sa15yg8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}