{"product_id":"71v124sa15tygi8","title":"71V124SA15TYGI8","description":"\u003ch2\u003e Renesas 71V124SA15TYGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eSRAM asynchrone\u003c\/strong\u003e \u003cstrong\u003e71V124SA15TYGI8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de 1 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications à haute fiabilité exigeant un accès mémoire ultrarapide. Avec un \u003cstrong\u003etemps d'accès exceptionnel de 15 ns\u003c\/strong\u003e et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM à interface parallèle offre des performances remarquables pour les automates industriels, les systèmes automobiles, les processeurs embarqués et les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e configuration 128 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité en environnement difficile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e 32-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux et à tout système embarqué nécessitant un accès mémoire déterministe à faible latence et une disponibilité à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eBande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité, assortis d'un support technique dédié et d'une disponibilité à long terme. Notre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs de mémoire semi-conducteurs : solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003e\u003cstrong\u003egamme de mémoires\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 bits à 6 To, avec interfaces I²C, SPI et parallèles, pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources et assistance techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Besoin d'aide pour la conception, de tarifs dégressifs ou de documentation technique ? Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous aider à choisir la solution de mémoire adaptée à votre application. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003e\u003cstrong\u003eblog d'actualités\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e pour découvrir les dernières annonces de produits, des articles techniques et des analyses du secteur.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui le 71V124SA15TYGI8\u003c\/strong\u003e et découvrez l'engagement de HQICKEY envers la qualité, l'authenticité et l'excellence en ingénierie.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116050219297,"sku":"71V124SA15TYGI8","price":8.35,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_32SOJ_11c5d085-0989-47a4-a1fb-c130a8cc3826.jpg?v=1743646824","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/71v124sa15tygi8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}