{"product_id":"at24c04an-10sc-2-7","title":"AT24C04AN-10SC-2.7","description":"\u003ch2\u003e AT24C04AN-10SC-2.7 - Circuit intégré de mémoire EEPROM I2C 4 Kbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire EEPROM I2C \u003cstrong\u003eAT24C04AN-10SC-2.7\u003c\/strong\u003e de Microchip Technology est un dispositif de mémoire haute fiabilité de 4 Kbits (512 x 8) conçu pour les applications industrielles et commerciales nécessitant un stockage de données non volatiles. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface fonctionne sur une large plage de tensions, de 2,7 V à 5,5 V, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués basse consommation alimentés par batterie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de stockage de 4 Kbits :\u003c\/strong\u003e 512 octets organisés en 512 x 8 bits pour une gestion flexible des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface I2C :\u003c\/strong\u003e Interface série à deux fils standard avec une fréquence d'horloge de 400 kHz pour une communication rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de 2,7 V à 5,5 V, compatible avec diverses configurations d’alimentation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e un cycle d'écriture de 5 ms garantit des mises à jour de données rapides\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e 900 ns pour une récupération rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier SOIC 8 broches compact :\u003c\/strong\u003e conception de montage en surface peu encombrante (0,154 pouce, largeur de 3,90 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie des microprocesseurs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4Kbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e I2C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 kHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 900 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire EEPROM AT24C04AN-10SC-2.7 est idéale pour stocker des données de configuration, des paramètres d'étalonnage, des réglages utilisateur et de petits journaux de données :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e appareils électroniques grand public et domotiques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation médicale et équipement de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Matériel de télécommunications et de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs et capteurs IoT alimentés par batterie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir l'AT24C04AN-10SC-2.7 ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e L'EEPROM AT24C04AN-10SC-2.7 de Microchip Technology offre une fiabilité et des performances éprouvées pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire non volatile. Son interface I2C simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs, tandis que sa large plage de tension de fonctionnement assure la compatibilité avec les conceptions basse consommation modernes. Grâce à sa conception robuste (température de fonctionnement industrielle) et son boîtier compact à montage en surface, cette EEPROM est conçue pour les applications exigeantes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003esolutions de mémoire semi-conductrice,\u003c\/a\u003e incluant les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM des plus grands fabricants. 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