{"product_id":"br25l160fvt-we2","title":"BR25L160FVT-WE2","description":"\u003ch2\u003e BR25L160FVT-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 16 kbits haute fiabilité\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eBR25L160FVT-WE2\u003c\/strong\u003e de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 16 kbits (2K x 8) haut de gamme, conçu pour les applications industrielles et embarquées exigeant un stockage de données non volatiles fiable. Ce composant CMS offre une large plage de tensions de fonctionnement (1,8 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie, les capteurs IoT, l'électronique automobile et les systèmes de contrôle industriels.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité mémoire de 16 Kbits :\u003c\/strong\u003e l’organisation en 2K x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les journaux système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI :\u003c\/strong\u003e Interface périphérique série standard avec une fréquence d'horloge de 5 MHz permettant un transfert de données rapide et efficace\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e le fonctionnement de 1,8 V à 5,5 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et alimentations.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, adapté aux environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e optimisé pour des conceptions écoénergétiques et une durée de vie de la batterie prolongée\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier TSSOP 8 broches compact :\u003c\/strong\u003e conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm \/ 0,173 pouce) pour les circuits imprimés haute densité.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCycle d'écriture rapide :\u003c\/strong\u003e un temps de cycle d'écriture de 5 ms garantit une journalisation des données et des mises à jour de configuration réactives.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire EEPROM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et dispositifs de surveillance de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements médicaux et instruments de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage de configuration\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT périphériques et réseaux de capteurs sans fil\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipement d'infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Rohm Semiconductor\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-TSSOP (0,173\", largeur 4,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-TSSOP-B\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur de semi-conducteurs et de composants électroniques haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications industrielles et embarquées. Chaque EEPROM BR25L160FVT-WE2 que nous fournissons provient directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi une qualité Rohm Semiconductor 100 % authentique, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eNotre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Composants EEPROM, Flash, SRAM et DRAM\"\u003egamme de circuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, SRAM et DRAM de fabricants leaders, rigoureusement sélectionnées pour leurs performances industrielles et leur disponibilité à long terme. Que vous conceviez des objets connectés de nouvelle génération, des systèmes automobiles ou des contrôleurs industriels, nous vous fournissons les composants de mémoire et l'assistance technique nécessaires à votre réussite.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources et assistance techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Besoin d'aide pour choisir la solution mémoire adaptée à votre application ? Notre équipe d'ingénieurs vous offre un support technique complet, incluant des conseils sur le choix des composants, des recommandations pour l'agencement des circuits imprimés et la gestion du cycle de vie. 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