{"product_id":"br93g76fv-3agte2","title":"BR93G76FV-3AGTE2","description":"\u003ch2\u003e BR93G76FV-3AGTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 8 kbits haute fiabilité\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le \u003cstrong\u003eBR93G76FV-3AGTE2\u003c\/strong\u003e de Rohm Semiconductor est une mémoire EEPROM non volatile 8 kbits hautes performances conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable. Ce composant CMS est doté d'une interface série Microwire et fonctionne sur une large plage de tensions (1,7 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les applications industrielles et alimentées par batterie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire de 8 Kbits\u003c\/strong\u003e - Organisation 512 x 16 pour un stockage de données flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface série Microwire\u003c\/strong\u003e - Protocole de communication simple à 3 fils réduisant le nombre de broches\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFréquence d'horloge de 3 MHz\u003c\/strong\u003e - Accès rapide aux données pour les applications critiques en temps réel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement\u003c\/strong\u003e : l’alimentation de 1,7 V à 5,5 V permet de prendre en charge diverses conceptions de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles\u003c\/strong\u003e - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact 8-SSOP\u003c\/strong\u003e - Conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps de cycle d'écriture de 5 ms\u003c\/strong\u003e - Performances de programmation de données efficaces\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Rohm Semiconductor\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8Kbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Microfil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-LSSOP (0,173\", largeur 4,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SSOP-B\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire EEPROM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage de la configuration du système embarqué\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003econservation des données d'étalonnage\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Paramètres et préférences de l'utilisateur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Stockage des numéros de série et d'identification\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT basse consommation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique grand public\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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