{"product_id":"cat24c44vi-t3","title":"CAT24C44VI-T3","description":"\u003ch2\u003e Présentation du circuit intégré de mémoire SRAM non volatile CAT24C44VI-T3\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eCAT24C44VI-T3\u003c\/strong\u003e d'onsemi est une mémoire SRAM non volatile (NVSRAM) 256 bits haute fiabilité, conçue pour les applications embarquées critiques nécessitant la conservation des données sans batterie de secours. Ce composant industriel combine la vitesse d'écriture élevée de la SRAM avec les capacités de stockage non volatile, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des objets connectés (IoT) où l'intégrité des données est primordiale.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eDoté d'une interface série SPI cadencée à 1 MHz et organisée en 16 x 16 bits, ce circuit intégré de mémoire fonctionne sur une large plage de tensions (4,5 V à 5,5 V) et de températures industrielles (-40 °C à 85 °C). Son boîtier compact SOIC 8 broches pour montage en surface facilite son intégration dans les circuits imprimés à espace restreint, tout en garantissant des performances robustes même dans des environnements difficiles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e onsemi\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e NVSRAM\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e NVSRAM (SRAM non volatile)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 256 bits\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 16 x 16\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1 MHz\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8-SOIC\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre sélection complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, allant de 64 bits à 6 térabits de capacités pour diverses applications industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour trouver des composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, bénéficiant d'une assistance complète tout au long du cycle de vie et d'une documentation technique.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances et actualités techniques du secteur grâce à notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Dernières actualités et analyses techniques sur les semi-conducteurs - HQICKEY\"\u003eblog d'actualités sur les semi-conducteurs\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115910627617,"sku":"CAT24C44VI-T3","price":5.92,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_488_751BD-01_V_W_8_72e7cb6c-293b-4abd-8c6f-bb8df7987501.jpg?v=1743642311","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/cat24c44vi-t3","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}