{"product_id":"cy15b004q-sxat","title":"CY15B004Q-SXAT","description":"\u003ch2\u003e Infineon CY15B004Q-SXAT - Circuit intégré de mémoire F-RAM de qualité automobile\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eCY15B004Q-SXAT\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une mémoire F-RAM (Ferroelectric RAM) 4 Kbit haute fiabilité, conçue pour les applications automobiles, industrielles et embarquées exigeantes. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une capacité d'écriture instantanée sans nécessiter de tampon de page.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e Opérations d'écriture instantanées à pleine vitesse du bus, sans délai d'écriture.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEndurance illimitée :\u003c\/strong\u003e 100 000 milliards (10¹⁴) de cycles de lecture\/écriture – idéal pour l’enregistrement de données et les mises à jour fréquentes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie : Consommation\u003c\/strong\u003e d'énergie nettement inférieure à celle d'une EEPROM lors des opérations d'écriture\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme aux normes automobiles :\u003c\/strong\u003e Certification AEC-Q100 pour la fiabilité automobile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface standard du secteur :\u003c\/strong\u003e interface série SPI à 16 MHz pour une intégration facile\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e F-RAM™\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4Kbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Automobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e AEC-Q100\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e calculateurs automobiles et modules de commande de carrosserie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et gestion de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs périphériques IoT et nœuds de capteurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage des données de configuration et d'étalonnage\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003ch3\u003ePourquoi choisir la technologie F-RAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre une combinaison unique de vitesse, d'endurance et de fiabilité, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles, la FRAM écrit les données à la vitesse du bus sans risque d'usure, ce qui la rend parfaite pour l'enregistrement de données, les compteurs d'événements et le stockage de la configuration dans les systèmes critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce composant est \u003cstrong\u003econforme à la directive RoHS\u003c\/strong\u003e et répond aux normes de qualité automobiles les plus strictes (AEC-Q100), garantissant une fiabilité à long terme même dans des environnements exigeants. Tous nos produits proviennent directement de distributeurs agréés, offrant une traçabilité complète et des garanties d'authenticité.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM pour vos applications embarquées et industrielles.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et solutions de mémoire haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme, issus d'un approvisionnement authentique et livrés dans le monde entier.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé(e) des dernières tendances du secteur et des annonces de produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115718082849,"sku":"CY15B004Q-SXAT","price":4.98,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_448_51-85066_F_G_S_8_50fa00a1-e16c-4ab4-925a-0539e1e7ad0a.jpg?v=1743636498","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/cy15b004q-sxat","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}