{"product_id":"cy62256ll-55snxit","title":"CY62256LL-55SNXIT","description":"\u003ch2\u003e Infineon CY62256LL-55SNXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eCY62256LL-55SNXIT\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Offrant un temps d'accès rapide de 55 ns et une organisation en 32 Ko x 8, cette SRAM à montage en surface assure un stockage de données fiable et rapide pour les systèmes à microcontrôleur, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et l'électronique automobile.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Conçu avec la technologie MOBL™ éprouvée d'Infineon, ce circuit intégré de mémoire volatile fonctionne sur une large plage de températures (-40 °C à 85 °C) et supporte une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V, ce qui le rend idéal pour les environnements industriels difficiles. Son interface parallèle assure une intégration simple avec les systèmes embarqués anciens et modernes, tandis que son boîtier SOIC 28 broches permet un montage en surface compact.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e cycle d'accès et d'écriture de 55 ns pour des performances système réactives.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e l'architecture mémoire 32K x 8 convient aux applications orientées octets\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité automobile et industrielle\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e compatibilité avec une alimentation de 4,5 V à 5,5 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e construction écologique et sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie éprouvée :\u003c\/strong\u003e plateforme SRAM Infineon MOBL™ avec support à long terme\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e MOBL™\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-SOIC (0,295\", largeur 7,50 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-SOIC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de microcontrôleurs embarqués et cartes SBC\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et calculateurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e mémoire tampon et cache des données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - 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