{"product_id":"cy7c1021cv33-12baxit","title":"CY7C1021CV33-12BAXIT","description":"\u003ch2\u003e CY7C1021CV33-12BAXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eCY7C1021CV33-12BAXIT\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès rapide de 12 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les applications critiques nécessitant une conservation stable et non volatile des données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire de 1 Mbit\u003c\/strong\u003e avec une organisation de 64 Ko x 16 pour un stockage de données flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eUn temps d'accès ultra-rapide de 12 ns\u003c\/strong\u003e garantit des opérations de lecture\/écriture rapides.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension (3 V à 3,6 V)\u003c\/strong\u003e pour des conceptions écoénergétiques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C)\u003c\/strong\u003e adaptée aux environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLa technologie SRAM asynchrone\u003c\/strong\u003e élimine le besoin de synchronisation d'horloge.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLe boîtier compact 48-TFBGA (7 x 7 mm) à montage en surface\u003c\/strong\u003e permet de gagner de la place sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS\u003c\/strong\u003e pour une fabrication respectueuse de l'environnement\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-FBGA (7x7)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eDispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon fiable des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués avec exigences de traitement en temps réel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition de données et d'instrumentation\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en semi-conducteurs ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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