{"product_id":"cy7c1021cv33-12vxct","title":"CY7C1021CV33-12VXCT","description":"\u003ch2\u003e Infineon CY7C1021CV33-12VXCT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eCY7C1021CV33-12VXCT\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) de 1 Mbit, haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel. Fonctionnant sous 3,3 V et conditionnée dans un format compact CMS 44-SOJ, elle fournit un stockage de mémoire volatile fiable pour les interfaces de microcontrôleurs, les équipements réseau, les dispositifs de télécommunications et les systèmes de contrôle industriels.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Conçu pour les déploiements à grande échelle, ce composant est conforme à la norme RoHS, offre une large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) et est compatible avec les interfaces parallèles. Que vous conceviez des systèmes d'acquisition de données haute vitesse, des contrôleurs embarqués ou des infrastructures de communication, le CY7C1021CV33-12VXCT offre la vitesse, la fiabilité et le support longue durée exigés par les équipementiers et les intégrateurs de systèmes.\u003c\/p\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eAttributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un cycle d'accès et d'écriture de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 64 Ko x 16 offre une grande flexibilité d’adressage pour les architectures de systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation (3,3 V) :\u003c\/strong\u003e sa conception écoénergétique réduit la consommation d’énergie des systèmes industriels et alimentés par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures :\u003c\/strong\u003e Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e Le format compact 44-SOJ permet des implantations de circuits imprimés haute densité et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales pour un déploiement sur le marché mondial\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e connectivité directe microcontrôleur\/processeur sans surcharge de protocole complexe\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDisponibilité tout au long du cycle de vie :\u003c\/strong\u003e garantie par l’engagement d’Infineon à fournir un support produit étendu pour assurer la continuité de la production.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e mémoire cache et tampon du système embarqué\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipements de contrôle et d'automatisation industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de télécommunications et de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition de données et d'instrumentation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements médicaux et de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Terminaux et bornes de point de vente\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003chr\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eRessources connexes :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Collection de circuits intégrés de mémoire\"\u003eExplorez notre collection complète de circuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e : découvrez les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM des principaux fabricants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"Page d'accueil HQICKEY\"\u003eVisitez HQICKEY pour des composants semi-conducteurs haut de gamme\u003c\/a\u003e : votre source de confiance pour des circuits intégrés authentiques, avec livraison internationale et assistance technique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog technique HQICKEY\"\u003eConsultez nos dernières analyses sectorielles et articles techniques\u003c\/a\u003e : restez informé(e) des tendances du secteur des semi-conducteurs, des notes d’application et des meilleures pratiques de conception.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e","brand":"Infineon 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