{"product_id":"cy7c1021cv33-15zxi","title":"CY7C1021CV33-15ZXI","description":"\u003ch2\u003e CY7C1021CV33-15ZXI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM \u003cstrong\u003eCY7C1021CV33-15ZXI\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués exigeants, l'automatisation industrielle, les télécommunications et les applications automobiles. Cette SRAM asynchrone offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 15 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables, sans cycle de rafraîchissement.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 64K x 16 offre une architecture de stockage de données polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de température étendue :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale dans les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement asynchrone :\u003c\/strong\u003e aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e Interface de bus parallèle standard pour une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SRAM est conçu pour les applications exigeant des performances élevées, similaires à celles de la mémoire non volatile, tout en offrant la flexibilité de la mémoire volatile. Exemples d'utilisation :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriel et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et infrastructure réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques automobiles et ADAS\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e applications aérospatiales et de défense\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes d'acquisition de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications de mémoire cache et de tampon\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et traçables, avec un support complet tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité CY7C1021CV33-15ZXI provient directement de distributeurs agréés, vous garantissant ainsi des produits Infineon authentiques, accompagnés de la documentation complète et de la garantie. Notre équipe technique vous apporte un soutien expert pour vous aider à choisir la solution mémoire la mieux adaptée à vos besoins spécifiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\t \u003ctd\u003eType de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs de mémoire semi-conducteurs : solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003esemi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués. 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