{"product_id":"cy7c199c-12vxct","title":"CY7C199C-12VXCT","description":"\u003ch2\u003e CY7C199C-12VXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eCY7C199C-12VXCT\u003c\/strong\u003e d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits (32 Ko x 8) conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une conservation fiable des données. Avec un temps d'accès et un cycle d'écriture de 12 ns, des performances inégalées sur le marché, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications de mise en mémoire tampon de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e configuration 32 Ko x 8 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de tension d'alimentation :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les niveaux logiques TTL\/CMOS standard.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e 28-BSOJ (largeur de 7,62 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Technologies Infineon\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e  \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués et mémoire cache de microcontrôleur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Acquisition et mise en mémoire tampon des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation de test et de mesure\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos solutions de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans les composants semi-conducteurs authentiques, avec une traçabilité complète et une assurance qualité rigoureuse. Chaque unité CY7C199C-12VXCT provient directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi la qualité Infineon et un support complet tout au long du cycle de vie. Notre approche axée sur l'ingénierie vous fournit une documentation technique, des conseils d'application et un service client réactif pour vous accompagner dans vos choix de conception.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Avantages en matière de performance\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire SRAM asynchrone CY7C199C-12VXCT se distingue sur le marché par son temps d'accès exceptionnel de 12 ns, la rendant idéale pour les applications où chaque nanoseconde compte. Cette haute vitesse permet une intégration transparente dans les systèmes critiques en termes de temps, sans introduire de latence. Son architecture d'interface parallèle offre un débit maximal pour les opérations gourmandes en données, tandis que sa large plage de tension de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes numériques anciens et modernes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Considérations de conception\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Lors de l'intégration du CY7C199C-12VXCT dans votre conception, tenez compte de la largeur compacte de 7,62 mm du boîtier 28-BSOJ, idéale pour les circuits imprimés à espace restreint. Sa configuration CMS facilite les processus d'assemblage automatisés, réduisant ainsi les coûts de fabrication et améliorant la fiabilité de la production. Sa plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C le rend adapté aux environnements commerciaux et industriels, bien qu'une gestion thermique supplémentaire puisse être nécessaire pour les applications à températures élevées.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et fiabilité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eL'excellence de fabrication d'Infineon Technologies garantit des performances constantes d'un lot de production à l'autre. Le CY7C199C-12VXCT est soumis à des protocoles de test rigoureux afin de répondre aux normes de qualité automobiles et industrielles. La conformité à la directive RoHS garantit une fabrication écoresponsable, respectant les exigences réglementaires internationales relatives aux composants électroniques sans plomb. Chaque composant est livré avec une documentation de traçabilité complète, facilitant ainsi la gestion de la qualité et le respect des normes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esemi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 octets à 6 To. Consultez la \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et solutions de mémoire haut de gamme\"\u003epage d'accueil de HQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haut de gamme destinés aux marchés embarqués et industriels. 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