{"product_id":"gd25le128ewjgr","title":"GD25LE128EWJGR","description":"\u003ch2\u003e GD25LE128EWJGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eGD25LE128EWJGR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit (16 Mo) haut de gamme, conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce composant mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et une consommation d'énergie ultra-faible (tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V), ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie et les conceptions à espace réduit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e interface SPI Quad E\/S 133 MHz et QPI pour un accès rapide aux données (temps d’accès de 6 ns).\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 105 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception basse consommation :\u003c\/strong\u003e la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique pour les applications portables.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e architecture 16 M x 8 avec cycles d’écriture de page (2,4 ms) et d’écriture de mot (60 µs) rapides\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eApprovisionnement authentique :\u003c\/strong\u003e composants provenant directement des usines, avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de firmware, à l'exécution de code, à l'enregistrement de données et au stockage de configuration dans les systèmes à microcontrôleur, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et les dispositifs IoT intelligents en périphérie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD25LE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, QPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60 µs, 2,4 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e-40°C ~ 105°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (5x6)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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