{"product_id":"gd25lq32eeagr","title":"GD25LQ32EEAGR","description":"\u003ch2\u003e GD25LQ32EEAGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eGD25LQ32EEAGR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor offre un stockage non volatil fiable et rapide pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications automobiles. Cette mémoire Flash NOR de 32 Mbits est dotée d'interfaces SPI et d'E\/S quadruples avancées, permettant un débit de données élevé jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz tout en conservant une consommation d'énergie ultra-faible avec une plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d'horloge de 133 MHz avec prise en charge des E\/S quadruples et du QPI pour un accès rapide aux données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e de -40 °C à 125 °C, garantissant une fiabilité optimale dans les environnements industriels et automobiles les plus difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception basse consommation :\u003c\/strong\u003e la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e temps de cycle d'écriture de 100 µs par mot et de 4 ms par page pour accélérer les opérations de programmation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e architecture mémoire 4 Mo x 8 avec un temps d’accès de 6 ns\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette solution NOR Flash excelle dans le stockage de code, les mises à jour de firmware, l'enregistrement de données et le stockage de configuration pour les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs embarqués dans les secteurs de l'aérospatiale, du médical, des télécommunications et de l'automatisation industrielle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eGigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD25LQ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, QPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 100 µs, 4 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 125°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Coussinet exposé 8-XFDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-USON (3x2)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esemi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM des plus grands fabricants. 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