{"product_id":"gd25lr512meyigr","title":"GD25LR512MEYIGR","description":"\u003ch2\u003e GD25LR512MEYIGR - Mémoire Flash NOR Quad SPI 512 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le \u003cstrong\u003eGD25LR512MEYIGR\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbits de GigaDevice Semiconductor, doté d'une interface Quad SPI et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz. Il est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant une mémoire non volatile fiable et haute densité avec une traçabilité complète.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eHaute densité :\u003c\/strong\u003e capacité de mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) pour les applications gourmandes en données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 200 MHz avec interface SPI à quatre E\/S\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour un fonctionnement écoénergétique\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille exposée\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eProduit sous licence :\u003c\/strong\u003e documentation complète du fabricant et traçabilité garanties\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une disponibilité tout au long du cycle de vie et une prise en charge intégrée dès la conception.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD25LR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e  \u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eEmballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eGarantie du distributeur agréé :\u003c\/strong\u003e Tous nos produits sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats d’authenticité et une traçabilité intégrale. Nous accompagnons les programmes de gestion du cycle de vie et proposons une assistance à l’intégration grâce à des plans de référence et des ressources techniques.\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116635357473,"sku":"GD25LR512MEYIGR","price":17.46,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-8X6_Y_8_b4335239-83bb-4f84-905f-7211eebbeec2.jpg?v=1743660626","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd25lr512meyigr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}