{"product_id":"gd25lt256efirr","title":"GD25LT256EFIRR","description":"\u003ch2\u003e GD25LT256EFIRR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eGD25LT256EFIRR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit (32 Mo x 8) haute fiabilité, conçu pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire Flash avancée offre des performances exceptionnelles grâce à ses interfaces SPI\/Quad I\/O et QPI, prenant en charge le mode DTR (Double Transfer Rate) jusqu'à une fréquence d'horloge de 200 MHz.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface flexible :\u003c\/strong\u003e prise en charge des interfaces SPI, Quad I\/O et QPI avec capacité DTR pour un débit maximal\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e le fonctionnement de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions basse consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e format 16-SOIC (largeur de 7,50 mm) \/ 16-SOP idéal pour les circuits imprimés à espace restreint.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e des cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 1,2 ms accélèrent les opérations de stockage de données.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GD25LT\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 32M x 8\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, QPI, DTR\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 70 µs, 1,2 ms\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 16-SOIC (0,295\", largeur 7,50 mm)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 16-SOP\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Le GD25LT256EFIRR est idéal pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Données de configuration FPGA et microcontrôleur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Enregistrement des données et stockage des paramètres dans les contrôleurs industriels\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes d'infodivertissement et calculateurs automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e micrologiciel et données d'étalonnage des dispositifs médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et infrastructure réseau\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la mémoire flash NOR de GigaDevice ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e GigaDevice Semiconductor offre une fiabilité et des performances éprouvées sur le marché de la mémoire flash. La série GD25LT associe une technologie SLC NOR de pointe à une conception robuste pour les applications critiques où l'intégrité des données et la fiabilité à long terme sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les dispositifs de mémoire SRAM, DRAM, EEPROM et Flash des principaux fabricants.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir des semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé des dernières tendances du secteur et des annonces de produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"NOUVELLES\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116153798945,"sku":"GD25LT256EFIRR","price":9.63,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_16SOP-7.5_F_16_f6a1da89-bae5-41b1-b0d6-5053b1302353.jpg?v=1743649409","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd25lt256efirr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}