{"product_id":"gd25lt256ewigr","title":"GD25LT256EWIGR","description":"\u003ch2\u003eGD25LT256EWIGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire flash non volatile \u003cstrong\u003eGD25LT256EWIGR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor représente le summum de la technologie, conçue spécifiquement pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire flash NOR de 256 Mbit offre une fiabilité, une vitesse et une efficacité exceptionnelles, même dans les environnements d'exploitation les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie d'interface avancée :\u003c\/strong\u003e prise en charge des E\/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un débit et une flexibilité maximaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e Fonctionnement impeccable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eStockage haute densité :\u003c\/strong\u003e une organisation 32M x 8 offre une capacité de 256 Mbit dans un format compact 8-WSON (5x6).\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception à montage en surface :\u003c\/strong\u003e Configuration à pastilles exposées 8-WDFN compacte, idéale pour les circuits imprimés haute densité.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Excellence technique\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Basée sur la technologie FLASH NOR (SLC) éprouvée, la mémoire GD25LT256EWIGR offre des performances d'écriture constantes avec des cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 1,2 ms. Son architecture à cellule unique garantit une intégrité et une endurance des données supérieures, ce qui en fait le choix idéal pour le stockage de code, les mises à jour de firmware et l'enregistrement de données dans les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD25LT\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, QPI, DTR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\t \u003ctd\u003eÉcrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 70 µs, 1,2 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (5x6)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Le GD25LT256EWIGR excelle dans les applications nécessitant un stockage non volatil fiable et à haute vitesse, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements d'imagerie médicale, l'avionique aérospatiale, les stations de base de télécommunications, les dispositifs périphériques IoT et le stockage du micrologiciel des systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et commerciales. Son conditionnement en bande et bobine garantit la compatibilité avec les systèmes d'assemblage automatisés et une protection contre les décharges électrostatiques lors de la manipulation et du stockage.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - Composants Flash et DRAM haute performance\"\u003esolutions de mémoire\u003c\/a\u003e pour la mémoire flash, la DRAM et les composants de stockage. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants et solutions semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité. Restez informé des dernières nouveautés et tendances du secteur grâce à notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116272091425,"sku":"GD25LT256EWIGR","price":11.46,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-6X5_W_8_f287eeaf-50ba-4272-917e-4750f1ae99cd.jpg?v=1743651839","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd25lt256ewigr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}