{"product_id":"gd25wb256efirr","title":"GD25WB256EFIRR","description":"\u003ch2\u003e GD25WB256EFIRR - Circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eGD25WB256EFIRR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 256 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Dotée d'une interface SPI Quad E\/S avancée, cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7,5 ns.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eStockage haute densité :\u003c\/strong\u003e l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 7,5 ns garantit une récupération rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface flexible :\u003c\/strong\u003e l'interface SPI Quad E\/S permet une communication série à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e -40 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm) pour des circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes aérospatiaux et les dispositifs IoT périphériques nécessitant des solutions de mémoire non volatiles et haute fiabilité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD25WB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 104 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 150 µs, 4 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 7,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16-SOIC (0,295\", largeur 7,50 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e \u003ch3\u003ePourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantissant authenticité et fiabilité. Notre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Collection de circuits intégrés mémoire - Flash, DRAM, SRAM et plus encore\"\u003egamme de circuits intégrés mémoire\u003c\/a\u003e comprend les dernières solutions NOR Flash, NAND Flash, DRAM et SRAM des plus grands fabricants mondiaux.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition. 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