{"product_id":"gd25wq64etigy","title":"GD25WQ64ETIGY","description":"\u003ch2\u003e GD25WQ64ETIGY - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 64 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eGD25WQ64ETIGY\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haute performance de 64 Mbits, conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et l'électronique grand public. Ce circuit intégré de mémoire Flash avancé offre une fiabilité exceptionnelle et un accès rapide aux données grâce à sa prise en charge de quatre E\/S, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les mises à jour de firmware dans les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 104 MHz avec un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface d'E\/S quadruple :\u003c\/strong\u003e la prise en charge des E\/S quadruples SPI permet des débits de transfert de données plus rapides pour les applications gourmandes en bande passante.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e la tension de fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses configurations d’alimentation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact 8-SOP :\u003c\/strong\u003e Conception à montage en surface (8-SOIC, largeur de 3,90 mm) optimisant l’espace sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation efficace de la mémoire :\u003c\/strong\u003e architecture 8 M x 8 avec cycles d’écriture de page (4 ms) et d’écriture de mot (120 µs) rapides\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GD25WQ\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR (SLC)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8M x 8\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 104 MHz\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 120 µs, 4 ms\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications de stockage de code et de démarrage pour systèmes embarqués\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT et capteurs intelligents\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e appareils électroniques grand public et appareils portables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir GD25WQ64ETIGY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La série GD25WQ de GigaDevice représente une technologie de mémoire flash de pointe, alliant haute fiabilité et performances économiques. L'architecture NOR SLC (Single-Level Cell) garantit une rétention des données et une endurance supérieures, tandis que la large plage de tension de fonctionnement et la résistance aux températures industrielles rendent ce composant adapté aux applications exigeantes dans de nombreux secteurs.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant les composants EEPROM, Flash, DRAM et SRAM. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Distributeur de composants semi-conducteurs et de pièces électroniques haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre gamme complète de composants électroniques industriels. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115629412641,"sku":"GD25WQ64ETIGY","price":2.96,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8SOP-3.9_T_8_55d32ebb-f159-4623-8d71-48566ca35798.jpg?v=1743632640","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd25wq64etigy","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}