{"product_id":"gd5f1gm7reyigy","title":"GD5F1GM7REYIGY","description":"\u003ch2\u003e GD5F1GM7REYIGY - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eGD5F1GM7REYIGY\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage fiable et non volatil. Cette solution de mémoire avancée est dotée d'une interface SPI à quatre E\/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 104 MHz.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eStockage haute densité :\u003c\/strong\u003e capacité de 1 Gbit (128 Mo) avec une organisation de 256 Mo x 4 pour une gestion flexible des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 104 MHz, temps d’accès de 9 ns et cycle d’écriture de page de 600 µs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface avancée :\u003c\/strong\u003e E\/S SPI quadruple avec prise en charge DTR pour une efficacité de bande passante maximale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation :\u003c\/strong\u003e plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie NAND SLC :\u003c\/strong\u003e endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC\/TLC\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, à l'électronique grand public, aux systèmes d'enregistrement de données et aux applications de stockage de micrologiciels où la fiabilité et la disponibilité sur une longue durée de vie sont essentielles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants GigaDevice, avec une traçabilité complète. Notre équipe d'assistance technique dédiée accompagne les OEM et les intégrateurs système dans leur conception, et nous assurons une disponibilité à long terme pour répondre à vos besoins de production pour les années à venir. Tous nos composants sont expédiés dans le monde entier avec un service de livraison fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e \u003cstrong\u003eAttributs du produit\u003c\/strong\u003e\n\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e \u003cstrong\u003eValeur de la propriété\u003c\/strong\u003e\n\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\t \u003ctd\u003eGigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD5F\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NAND (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256M x 4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, DTR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 104 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 600 µs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 9 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Flash, DRAM, SRAM et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les DRAM, SRAM, EEPROM et autres solutions de mémoire Flash pour vos besoins en conception embarquée.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Distributeur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, avec livraison internationale et assistance technique dédiée.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des annonces de produits et des articles techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique de HQICKEY\"\u003eblog d'actualités et technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115980095777,"sku":"GD5F1GM7REYIGY","price":7.57,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-8X6_Y_8_8994bcb5-6510-4523-bede-7316a2fdbba6.jpg?v=1743645201","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd5f1gm7reyigy","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}