{"product_id":"gd5f1gm7ueyjgr","title":"GD5F1GM7UEYJGR","description":"\u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eGD5F1GM7UEYJGR\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et un accès rapide aux données. Cette solution de mémoire de qualité industrielle est dotée d'une interface SPI Quad E\/S avec DTR (Double Transfer Rate), offrant des performances de lecture\/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Basée sur la technologie NAND SLC (Single-Level Cell) éprouvée, la mémoire GD5F1GM7UEYJGR offre une endurance et une rétention des données supérieures aux alternatives MLC, ce qui la rend idéale pour l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les objets connectés et les applications embarquées critiques. Son architecture mémoire 256 Mo x 4 assure une gestion flexible des données pour répondre aux exigences complexes des micrologiciels et de l'enregistrement de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface haut débit : l’interface\u003c\/strong\u003e SPI Quad E\/S avec prise en charge DTR permet des lectures séquentielles rapides et un accès aléatoire efficace.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation :\u003c\/strong\u003e la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise la consommation d’énergie dans les applications alimentées par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e un temps de programme de page de 600 µs garantit des mises à jour de données efficaces\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDisponibilité prolongée du cycle de vie :\u003c\/strong\u003e GigaDevice assure une disponibilité produit étendue pour une continuité de production optimale.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques :\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e GD5F\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e FLASH - NAND (SLC)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 256M x 4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, DTR\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 600 µs\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 7 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n \u003ctd\u003eQualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriel et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour véhicules\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements et instruments médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure réseau et routeurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Appareils électroniques grand public nécessitant le stockage de code\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Assurance qualité:\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Tous les composants GD5F1GM7UEYJGR proviennent directement de distributeurs agréés et font l'objet de contrôles qualité rigoureux. Nous garantissons leur authenticité à 100 % et fournissons une documentation de traçabilité complète. Notre équipe d'assistance technique est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration, la conception et la gestion du cycle de vie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources associés :\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - Composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM\"\u003esolutions de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les composants SRAM, DRAM, NOR Flash et EEPROM des plus grands fabricants. Visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Distributeur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir des milliers de composants semi-conducteurs authentiques, avec livraison internationale. 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