{"product_id":"gd5f1gq5reyihr","title":"GD5F1GQ5REYIHR","description":"\u003ch2\u003e GD5F1GQ5REYIHR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eGD5F1GQ5REYIHR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques. Dotée d'une interface SPI Quad E\/S avec DTR (Double Transfer Rate), cette mémoire non volatile offre des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 104 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eStockage haute densité :\u003c\/strong\u003e une mémoire de 1 Gbit (4 × 256 Mo) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 104 MHz et un temps d’accès de 9,5 ns garantissent une récupération rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface flexible : l’interface\u003c\/strong\u003e SPI Quad avec prise en charge DTR permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e plage de température de -40 °C à 85 °C et tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie fiable :\u003c\/strong\u003e l'architecture de mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) garantit une endurance et une conservation des données supérieures.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD5F\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NAND (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256M x 4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, DTR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 104 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 600 µs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 9,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003ePlaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire flash NAND de qualité industrielle est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Enregistrement de données dans les systèmes de contrôle automobiles et industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Stockage et configuration des données des dispositifs médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et infrastructure réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications aérospatiales et de défense nécessitant une plage de températures étendue\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir le GigaDevice GD5F1GQ5REYIHR ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e GigaDevice Semiconductor propose une qualité de niveau industriel et une fiabilité éprouvée pour une disponibilité optimale tout au long du cycle de vie. Le GD5F1GQ5REYIHR allie hautes performances, faible consommation d'énergie et fonctionnement robuste dans les environnements les plus exigeants, ce qui en fait le choix idéal pour les applications critiques à travers le monde.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour des composants semi-conducteurs haut de gamme et des solutions d'ingénierie.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur et des articles techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique de HQICKEY\"\u003eblog d'actualités et de technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116082954529,"sku":"GD5F1GQ5REYIHR","price":8.62,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-8X6_Y_8_efeb37cc-4c2e-44bb-9c4f-541bc1f7d7e7.jpg?v=1743647262","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd5f1gq5reyihr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}