{"product_id":"gd5f1gq5ueyihr","title":"GD5F1GQ5UEYIHR","description":"\u003ch2\u003e GD5F1GQ5UEYIHR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eGD5F1GQ5UEYIHR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor offre un stockage non volatil fiable et rapide pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI de 1 Gbit allie des performances exceptionnelles à une grande robustesse, ce qui le rend idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans les systèmes critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E\/S quadruples et du DTR pour un accès et un transfert de données rapides.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité généreuse :\u003c\/strong\u003e 1 Gbit\/s (128 Mo) organisé en 4 x 256 Mo pour une gestion flexible des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e la plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e temps de cycle d'écriture de page de 600 µs avec un temps d'accès de 7 ns\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie NAND SLC :\u003c\/strong\u003e L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce composant de mémoire flash polyvalent excelle dans l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, les plateformes informatiques embarquées, les équipements d'infrastructure réseau et l'électronique grand public nécessitant un stockage non volatil fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD5F\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NAND (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256M x 4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, DTR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 600 µs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 7 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e-40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications professionnelles. Notre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003egamme de mémoires\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM de fabricants leaders, vous assurant ainsi l'accès aux composants nécessaires à vos projets critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Chaque unité GD5F1GQ5UEYIHR provient directement de circuits de distribution agréés, ce qui garantit son authenticité et sa qualité. Nous offrons un support technique dédié pour vous aider à choisir la solution mémoire la mieux adaptée à vos besoins spécifiques.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé(e) des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e , où nous partageons des analyses et des mises à jour du monde des composants électroniques.\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116049793313,"sku":"GD5F1GQ5UEYIHR","price":8.35,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-8X6_Y_8_d614fd29-bb09-4718-a36f-12b23a42defd.jpg?v=1743646801","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd5f1gq5ueyihr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}