{"product_id":"gd5f1gq5ueyjgr","title":"GD5F1GQ5UEYJGR","description":"\u003ch2\u003e GD5F1GQ5UEYJGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire flash NAND \u003cstrong\u003eGD5F1GQ5UEYJGR\u003c\/strong\u003e de GigaDevice Semiconductor représente une technologie de pointe conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire flash NAND SPI de 1 Gbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E\/S quadruples et du QPI pour un transfert de données rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures robuste :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les conditions environnementales extrêmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface flexible :\u003c\/strong\u003e SPI avec modes Quad I\/O, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimisée :\u003c\/strong\u003e architecture mémoire 256 Mo x 4 pour une gestion efficace des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e cycle d'écriture de 600 µs et temps d'accès de 7 ns.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec divers systèmes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS 8-WSON (6x8) pour les conceptions à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GigaDevice Semiconductor (HK) Limited\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e GD5F\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NAND (SLC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256M x 4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - Quad E\/S, QPI, DTR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 600 µs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 7 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plaque exposée 8-WDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-WSON (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est idéale pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications des calculateurs automobiles et des systèmes ADAS\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage de données des dispositifs médicaux\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eInfrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Solutions semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - Flash, DRAM, EEPROM et plus encore\"\u003egamme de solutions de mémoire\u003c\/a\u003e comprend des mémoires flash, des DRAM, des EEPROM et des circuits intégrés de mémoire spécialisés provenant des plus grands fabricants mondiaux.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Mises à jour sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e , où nous partageons des analyses d'experts et des ressources techniques pour vous aider à prendre des décisions éclairées concernant le choix des composants.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui la mémoire flash NAND authentique GigaDevice GD5F1GQ5UEYJGR auprès de HQICKEY et assurez-vous que vos conceptions répondent aux normes les plus élevées en matière de fiabilité et de performance.\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"GigaDevice Semiconductor (HK) Limited","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116128174369,"sku":"GD5F1GQ5UEYJGR","price":9.44,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1970_8WSON-.80-8X6_Y_8_2e3240b2-e9fc-46b5-9531-e88adf634e94.jpg?v=1743648698","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/gd5f1gq5ueyjgr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}