{"product_id":"idt71016s12phi8","title":"IDT71016S12PHI8","description":"\u003ch2\u003e IDT71016S12PHI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e L' \u003cstrong\u003eIDT71016S12PHI8\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, fabriqué par Renesas Electronics Corporation. Il est conçu pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable aux performances exceptionnelles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement sous tension standard :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes 5 V anciens et modernes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire grâce à une architecture de bus parallèle standard pour une intégration transparente.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données, à la mémoire de configuration FPGA, aux applications de mémoire cache et aux systèmes de traitement en temps réel où des cycles de lecture\/écriture rapides sont essentiels.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez HQICKEY, nous fournissons exclusivement des composants semi-conducteurs Renesas authentiques, garantissant une traçabilité complète et une disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Chaque circuit intégré IDT71016S12PHI8 est accompagné d'un support technique dédié pour accompagner les équipementiers et les intégrateurs de systèmes tout au long des phases de conception et de production.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire et de composants semi-conducteurs\u003c\/a\u003e pour vos projets d'électronique embarquée et industrielle. 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