{"product_id":"idt71016s12ygi8","title":"IDT71016S12YGI8","description":"\u003ch2\u003e IDT71016S12YGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e L' \u003cstrong\u003eIDT71016S12YGI8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire parallèle dispose d'une architecture 64K x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 12 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 64 Ko x 16 offre une largeur de mot optimale pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCompatibilité étendue avec les tensions d'alimentation :\u003c\/strong\u003e une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de prendre en charge les systèmes anciens et modernes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e le 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eQualité Renesas authentique :\u003c\/strong\u003e composants d’origine avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 44-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 44-SOJ\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLe IDT71016S12YGI8 est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriel et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications informatiques embarquées et microcontrôleurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Acquisition de données et instrumentation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipement de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile (plage de températures étendue)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e mémoire cache et tampons haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire associée FPGA et ASIC\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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