{"product_id":"idt71016s12yi8","title":"IDT71016S12YI8","description":"\u003ch2\u003e IDT71016S12YI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eL' \u003cstrong\u003eIDT71016S12YI8\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) haut de gamme de 1 mégabit, fabriqué par Renesas Electronics Corporation. Cette SRAM asynchrone haute vitesse dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et des performances fiables dans les environnements industriels difficiles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les applications critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur des mots.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire via une architecture de bus parallèle pour un débit maximal\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e boîtier 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où une mémoire volatile avec un accès instantané en lecture\/écriture est essentielle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e44-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité, assortie d'un support technique dédié. Notre stock important garantit une disponibilité optimale pour vos projets critiques, grâce à un contrôle qualité rigoureux et une livraison internationale rapide.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 octets à 6 To. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme, ou visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"NOUVELLES\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e pour les dernières analyses du secteur, les annonces de produits et les articles techniques.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116043174177,"sku":"IDT71016S12YI8","price":8.28,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_IDT44-SERIES_cba74a32-2335-4b8a-a130-aa1dfe136415.jpg?v=1743646679","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/idt71016s12yi8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}