{"product_id":"idt71124s12ygi","title":"IDT71124S12YGI","description":"\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eParallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Présentation du produit\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e L' \u003cstrong\u003eIDT71124S12YGI\u003c\/strong\u003e est une solution de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce composant de mémoire volatile offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles, avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 12 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 128K x 8 offre une structure de données optimale pour les applications orientées octets.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire via une architecture de bus parallèle pour un débit maximal\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension d'alimentation :\u003c\/strong\u003e compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte : le boîtier CMS 32-SOJ compact (largeur de 10,16 mm) optimise l'espace\u003c\/strong\u003e sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Spécifications techniques\u003c\/h2\u003e\n\n \u003cp\u003eCette mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit (128 Ko x 8) avec architecture d'interface parallèle offre des performances déterministes sans nécessiter de synchronisation d'horloge. Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures industrielles tout en maintenant un temps d'accès constant de 12 ns, elle est idéale pour les applications embarquées temps réel, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Applications\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e Idéal pour les systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures de télécommunications, les plateformes informatiques embarquées et toute application exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec des spécifications de qualité industrielle.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Qualité et conformité\u003c\/h2\u003e\n\n \u003cp\u003eFabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications professionnelles et industrielles. Son boîtier CMS 32-BSOJ garantit un assemblage automatisé fiable et une stabilité mécanique à long terme.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Produits associés\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Composants de mémoire - SRAM, DRAM, Flash et plus encore\"\u003esolutions de mémoire haute fiabilité\u003c\/a\u003e pour vos systèmes embarqués. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. Restez informé(e) des dernières technologies et tendances du secteur des semi-conducteurs grâce à notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Mises à jour sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116170182945,"sku":"IDT71124S12YGI","price":10.3,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_32SOJ_14ae9d98-521b-4ecc-8020-1dbfdee6442c.jpg?v=1743650068","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/idt71124s12ygi","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}