{"product_id":"idt71v416vl10phg8","title":"IDT71V416VL10PHG8","description":"\u003ch2\u003e IDT71V416VL10PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e L'IDT71V416VL10PHG8 est une puce mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Cette solution de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Caractéristiques principales :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eCapacité mémoire :\u003c\/strong\u003e 4 Mbit (organisation 256K x 16)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e temps d’accès de 10 ns pour des opérations de données à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement basse tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS 44-TSOP II\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e Intégration facile avec les systèmes existants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie asynchrone :\u003c\/strong\u003e aucune horloge requise pour une conception simplifiée\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications :\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette puce SRAM est idéale pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements réseau et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes :\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eOrganisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir ce produit ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Cette solution SRAM offre la fiabilité et les performances requises par vos applications critiques, grâce à des ressources d'intégration complètes et une capacité d'expédition mondiale.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116613992737,"sku":"IDT71V416VL10PHG8","price":17.08,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_800_PHG44_PHG_44_a6f23bee-ea22-4690-b9eb-3f1ed0ca16ff.jpg?v=1743660094","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/idt71v416vl10phg8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}