{"product_id":"idt71v416vs10ph8","title":"IDT71V416VS10PH8","description":"\u003ch2\u003e IDT71V416VS10PH8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse \u003cstrong\u003eIDT71V416VS10PH8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics est conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation 256K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et aérospatiaux.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e boîtier TSOP II 44 broches pour une implantation efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e interface parallèle asynchrone standard pour une intégration simple\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à la mémoire cache, au stockage tampon, à l'enregistrement de données, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse avec une conservation des données garantie pendant la mise sous tension.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et traçabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Tous les produits proviennent directement de distributeurs agréés et bénéficient d'une traçabilité complète. Conformes à la norme RoHS et couverts par la garantie constructeur, ils sont parfaitement adaptés aux conceptions OEM exigeant un support à long terme et une chaîne d'approvisionnement fiable et constante.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116549636385,"sku":"IDT71V416VS10PH8","price":15.43,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_800_PH44_PH_44_bd08b98d-3ce4-43f3-a829-6707c5a7617d.jpg?v=1743658099","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/idt71v416vs10ph8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}