{"product_id":"idt71v416vs12ph8","title":"IDT71V416VS12PH8","description":"\u003ch2\u003e IDT71V416VS12PH8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eL' \u003cstrong\u003eIDT71V416VS12PH8\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une interface parallèle, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide de 12 ns\u003c\/strong\u003e - Permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de 4 Mbit (256 K x 16)\u003c\/strong\u003e - Organisation optimale de la mémoire pour les architectures de bus de données 16 bits\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V)\u003c\/strong\u003e : réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C)\u003c\/strong\u003e - Fonctionnement fiable en milieu commercial\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS 44-TSOP II\u003c\/strong\u003e - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface parallèle\u003c\/strong\u003e - Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, à l'automatisation industrielle, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire tampon rapide, un stockage cache ou des capacités d'enregistrement de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et traçabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation de traçabilité complète. Ils sont conformes aux normes RoHS et REACH. Un support technique à long terme garantit leur disponibilité pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116549800225,"sku":"IDT71V416VS12PH8","price":15.43,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_800_PH44_PH_44_c31b2ee0-11e6-42a9-b9f7-a7f9557f0975.jpg?v=1743658107","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/idt71v416vs12ph8","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}