{"product_id":"is42rm32800k-75bli-tr","title":"IS42RM32800K-75BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42RM32800K-75BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003epuce IS42RM32800K-75BLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile de 256 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et médical. Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 133 MHz et son temps d'accès de 6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMémoire haute densité :\u003c\/strong\u003e capacité de 256 Mbits organisée en 8 Mbits x 32 pour un stockage de données efficace\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e large plage de tension (2,3 V à 3 V) pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 90-TFBGA (8x13)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePrêt pour la production :\u003c\/strong\u003e Conditionnement en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - Mobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 3 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eéquipement d'infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Appareils portables et alimentés par batterie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un leader mondial reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute performance. Forte de plusieurs décennies d'expertise en technologie DRAM, ISSI fournit des composants répondant aux exigences rigoureuses des applications critiques. Chaque circuit intégré est soumis à des tests et à un contrôle qualité stricts afin de garantir une fiabilité à long terme et des performances constantes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Informations de commande\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Référence : \u003cstrong\u003eIS42RM32800K-75BLI-TR\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e Conditionnement : Bande et bobine pour assemblage automatisé par prélèvement et placement\u003cbr\u003e Quantité minimale de commande : veuillez nous contacter pour connaître les disponibilités et les tarifs dégressifs.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cem\u003eBesoin d'assistance technique ou d'aide à l'intégration ? Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration de ce circuit intégré mémoire à votre prochain projet. Contactez-nous pour obtenir les fiches techniques, les notes d'application et des conseils d'experts.\u003c\/em\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116575195425,"sku":"IS42RM32800K-75BLI-TR","price":16.11,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_90TFBGA-1.2-8X13_90_248c23b6-6f5b-4b6d-aa3e-ebeaac26292a.jpg?v=1743658957","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42rm32800k-75bli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}