{"product_id":"is42s16100c1-5t-tr","title":"IS42S16100C1-5T-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16100C1-5T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S16100C1-5T-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 16 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les systèmes embarqués critiques. Cette mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 5 ns et une fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFréquence d'horloge élevée :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement à 200 MHz prend en charge les exigences de traitement en temps réel les plus strictes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e architecture mémoire 1 Mo x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de 0 °C à 70 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e boîtier 50-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 50-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 50-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale, où des performances constantes et l'intégrité des données sont essentielles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos solutions de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Solutions semi-conducteurs haute fiabilité\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications critiques. Notre vaste \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003egamme de mémoires\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM de fabricants leaders, vous garantissant ainsi l'accès à des composants de la plus haute qualité pour vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé(e) des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et analyses techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui l'IS42S16100C1-5T-TR\u003c\/strong\u003e et découvrez des solutions de mémoire fiables et performantes, soutenues par l'engagement de HQICKEY en matière de qualité et de service client.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116126765345,"sku":"IS42S16100C1-5T-TR","price":9.4,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_50TSOPII-10.16_50_97852c70-a053-4b6e-ac24-31cd93abc843.jpg?v=1743648637","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16100c1-5t-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}