{"product_id":"is42s16100c1-6t-tr","title":"IS42S16100C1-6T-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16100C1-6T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S16100C1-6T-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haut de gamme de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 1 Mo x 16 offre un équilibre optimal entre densité et bande passante.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité avec les architectures système existantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e plage de températures de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux environnements commerciaux et industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation fiable :\u003c\/strong\u003e tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement stable et écoénergétique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 50-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eTension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 50-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 50-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes informatiques embarqués et ordinateurs monocartes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipement d'infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e applications aérospatiales et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Routeurs et commutateurs réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Acquisition de données et instrumentation\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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Notre vaste stock de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - DRAM, SRAM, Flash et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e vous assure l'accès aux composants nécessaires à vos projets critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources supplémentaires\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé(e) des dernières technologies en semi-conducteurs, des tendances du secteur et des annonces de produits en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique de HQICKEY\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e . Notre équipe y publie régulièrement des analyses sur les technologies de mémoire, les bonnes pratiques de conception et des notes d'application pour vous accompagner dans vos projets d'ingénierie.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui l'IS42S16100C1-6T-TR\u003c\/strong\u003e et découvrez la différence HQICKEY en matière de qualité, de fiabilité et de service client.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116093014305,"sku":"IS42S16100C1-6T-TR","price":8.84,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_50TSOPII-10.16_50_e69cfc77-da6f-499d-b9c0-f77864fe3d65.jpg?v=1743647550","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16100c1-6t-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}