{"product_id":"is42s16100h-7bli-tr","title":"IS42S16100H-7BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16100H-7BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003epuce IS42S16100H-7BLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 16 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant un accès mémoire parallèle rapide. Ce circuit intégré mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 143 MHz et son temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les plateformes informatiques embarquées à forte intensité de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de 16 Mbits :\u003c\/strong\u003e l’organisation de la mémoire (1 M x 16) offre un équilibre optimal pour les applications embarquées gourmandes en données, avec un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon et le traitement des données en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un débit de données rapide, minimisant ainsi la latence des opérations critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements automobiles, aérospatiaux et industriels où les conditions extrêmes sont fréquentes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact à montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 60-TFBGA (6,4 × 10,1 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé tout en conservant des performances électriques et thermiques robustes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface SDRAM parallèle simplifie l'intégration aux conceptions existantes, réduisant ainsi le temps de développement et garantissant la compatibilité avec les systèmes existants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation fiable :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les niveaux logiques standard, permettant une intégration transparente avec les microcontrôleurs et processeurs modernes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eType de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 m x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA (6,4 x 10,1)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM est conçue pour les applications exigeantes telles que les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes informatiques embarqués et les plateformes d'acquisition de données, où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent particulièrement adaptée aux environnements difficiles où la fiabilité des composants est primordiale.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Avantages en matière de performance\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire IS42S16100H-7BLI-TR offre des performances exceptionnelles qui la distinguent dans les applications de mémoire embarquée. Avec sa fréquence d'horloge de 143 MHz, cette SDRAM assure des opérations de lecture\/écriture rapides, essentielles au traitement des données en temps réel. Son temps d'accès de 5,5 ns garantit une latence minimale, tandis que son interface parallèle permet un transfert de données à large bande passante pour les applications nécessitant un accès multibit simultané.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur mondial de solutions semi-conducteurs haut de gamme et de composants\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans l'approvisionnement authentique et le support tout au long du cycle de vie des semi-conducteurs haut de gamme. Notre approche axée sur l'ingénierie vous garantit des composants authentiques, une traçabilité complète et une documentation technique à l'appui de vos décisions de conception. 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