{"product_id":"is42s16160j-6tl","title":"IS42S16160J-6TL","description":"\u003ch2\u003e IS42S16160J-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S16160J-6TL\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SDRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en mémoire nécessitant un débit de données élevé.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 16M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e L'IS42S16160J-6TL est conçu pour les applications critiques, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et avioniques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et systèmes ADAS\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipement de diagnostic médical\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, offrant des performances éprouvées pour les applications les plus exigeantes à travers le monde. La mémoire IS42S16160J-6TL témoigne de l'engagement d'ISSI envers la qualité, la fiabilité et l'excellence technique dans le secteur des mémoires volatiles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux exigences de vos systèmes embarqués. Consultez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités et ressources techniques HQICKEY - Perspectives sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003erubrique Actualités et Ressources techniques\u003c\/a\u003e pour accéder aux dernières analyses et notes d'application du secteur des semi-conducteurs.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui l'IS42S16160J-6TL\u003c\/strong\u003e et découvrez la fiabilité et les performances offertes par les solutions de mémoire ISSI pour vos applications critiques.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116128928033,"sku":"IS42S16160J-6TL","price":9.48,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_70e8397d-a766-4ea6-bb90-d13a905a5d83.jpg?v=1743648743","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16160j-6tl","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}