{"product_id":"is42s16160j-6tli-tr","title":"IS42S16160J-6TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16160J-6TLI-TR - Solution de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa puce \u003cstrong\u003eIS42S16160J-6TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire volatile présente une architecture 16M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances robustes à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface conforme aux normes industrielles :\u003c\/strong\u003e L’interface parallèle assure la compatibilité avec les architectures système existantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eAlimentation fiable :\u003c\/strong\u003e la plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V assure un fonctionnement stable quelle que soit la configuration d'alimentation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement professionnel :\u003c\/strong\u003e le conditionnement en bande et bobine au format CMS 54-TSOP II facilite les processus d’assemblage automatisés.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe composant de mémoire SDRAM est spécialement conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et avioniques nécessitant des performances de mémoire fiables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées et systèmes à microcontrôleurs\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Le contrôleur IS42S16160J-6TLI-TR est conforme à la norme RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et des réglementations pour un déploiement mondial. Son boîtier CMS 54-TSOP II offre d'excellentes performances thermiques et une grande stabilité mécanique pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité allant de 64 octets à 6 To. Visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs haute fiabilité, ou consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Dernières mises à jour sur la technologie des semi-conducteurs et perspectives de l'industrie\"\u003eblog\u003c\/a\u003e pour les dernières actualités sur la technologie des semi-conducteurs et les tendances du secteur.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116133712161,"sku":"IS42S16160J-6TLI-TR","price":9.55,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_51e10b8a-f310-4d55-bc35-177f15886837.jpg?v=1743648889","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16160j-6tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}