{"product_id":"is42s16160j-7bl-tr","title":"IS42S16160J-7BL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16160J-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit \u003cstrong\u003eintégré IS42S16160J-7BL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone haut de gamme de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués à haute fiabilité et les applications critiques. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e configuration d’interface parallèle 16 M x 16 pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation fiable :\u003c\/strong\u003e plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement stable\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e de 0 °C à 70 °C (TA), adaptée aux environnements commerciaux et industriels.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e l’encombrement de 54-TFBGA (8x8) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eÉcrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TFBGA (8x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux applications exigeantes nécessitant un accès rapide aux données et des performances fiables, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'acquisition de données, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et l'infrastructure de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantis authentiques et disponibles sur le long terme. 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