{"product_id":"is42s16160j-7tli-tr","title":"IS42S16160J-7TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16160J-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré de mémoire SDRAM \u003cstrong\u003eIS42S16160J-7TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 256 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et critiques exigeantes. Ce composant DRAM volatil présente une organisation mémoire 16 Mbits x 16 avec interface parallèle, offrant des temps d'accès rapides de 5,4 ns et fonctionnant à des fréquences d'horloge jusqu'à 143 MHz.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués temps réel et le traitement de données à haut débit.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de fonctionnement robuste :\u003c\/strong\u003e fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), ce qui le rend adapté aux environnements industriels, automobiles et aérospatiaux où les températures extrêmes sont fréquentes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e la plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et réduit la consommation d'énergie des appareils fonctionnant sur batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte tout en maintenant d'excellentes performances thermiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb, garantissant ainsi la conformité aux réglementations environnementales internationales.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eHaute fiabilité :\u003c\/strong\u003e Conçu pour les applications critiques, avec une fiabilité éprouvée dans des conditions d'exploitation difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour une large gamme d'applications exigeantes, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉquipements de télécommunications :\u003c\/strong\u003e routeurs de réseau, commutateurs et stations de base nécessitant une mise en mémoire tampon de données à haut débit.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eContrôleurs industriels :\u003c\/strong\u003e automates programmables, systèmes d’automatisation et équipements de contrôle de processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDispositifs médicaux :\u003c\/strong\u003e équipements de diagnostic, systèmes de surveillance des patients et dispositifs d’imagerie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMatériel réseau :\u003c\/strong\u003e commutateurs Ethernet, pare-feu et stockage en réseau (NAS)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eSystèmes automobiles :\u003c\/strong\u003e systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), systèmes d’infodivertissement et unités de commande du moteur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAérospatiale et défense :\u003c\/strong\u003e Avionique, systèmes radar et plateformes informatiques critiques\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eBande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Avantages en matière de performance\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La puce IS42S16160J-7TLI-TR offre des performances exceptionnelles qui la distinguent sur le marché des mémoires SDRAM. Avec sa fréquence d'horloge de 143 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce circuit intégré mémoire fournit la vitesse requise pour les applications gourmandes en bande passante. Son architecture 16M x 16 offre une largeur de chemin de données optimale pour des accès mémoire efficaces, tandis que son interface parallèle assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eQualité et fiabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Fabriqué par ISSI, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire, ce circuit intégré SDRAM est soumis à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute sa plage de températures de fonctionnement. Sa spécification de température industrielle (-40 °C à 85 °C) le rend adapté aux environnements exigeants où les composants grand public seraient défaillants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantis authentiques, disponibles sur le long terme et bénéficiant d'un réseau de distribution mondial. Notre vaste stock comprend une large gamme de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - DRAM, SRAM, Flash et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e provenant des plus grands fabricants, vous assurant ainsi l'accès aux composants nécessaires à vos conceptions critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003ePour plus d'informations techniques, de mises à jour sur les produits et d'actualités du secteur, visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique de HQICKEY\"\u003eblogue d'actualités et technique\u003c\/a\u003e où nous partageons des connaissances d'experts sur la sélection des semi-conducteurs, les considérations de conception et les technologies émergentes dans les solutions de mémoire et les systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eBesoin d'aide pour votre conception ?\u003c\/strong\u003e Notre équipe technique est à votre disposition pour vous accompagner dans le choix de la solution mémoire la mieux adaptée à vos besoins. Contactez-nous dès aujourd'hui pour bénéficier d'un accompagnement personnalisé et de conseils techniques.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116111954209,"sku":"IS42S16160J-7TLI-TR","price":9.03,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_f2d72ac8-a769-490b-a0ab-30feaecfa897.jpg?v=1743648075","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16160j-7tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}