{"product_id":"is42s16400d-6tl-tr","title":"IS42S16400D-6TL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16400D-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eIS42S16400D-6TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications gourmandes en mémoire. Cette SDRAM dispose d'une architecture 4M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5 ns, garantissant des performances fiables pour les applications exigeantes.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003ePrincipales caractéristiques et avantages :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 4M x 16 pour une conception système flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence d'horloge rapide de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns pour des performances réactives\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de tension de fonctionnement (3 V à 3,6 V) pour une compatibilité avec divers systèmes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) pour un fonctionnement fiable\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier CMS 54-TSOP II pour des circuits imprimés compacts\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Interface parallèle pour une intégration simple dans les conceptions existantes\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eApplications idéales :\u003c\/strong\u003e systèmes embarqués, automatisation industrielle, équipements de réseau, télécommunications, électronique automobile et modules d’extension de mémoire.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eSpécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Winbond Electronics Semiconductors - Solutions de mémoire et de mémoire flash | HQICKEY\"\u003esolutions de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment la DRAM, la SRAM, la mémoire Flash et les circuits intégrés de mémoire spécialisés pour les applications industrielles et embarquées.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour des semi-conducteurs authentiques avec assistance technique, livraison mondiale rapide et disponibilité à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des lancements de produits et des articles techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116045500705,"sku":"IS42S16400D-6TL-TR","price":8.32,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_7568475a-064d-477e-ac34-41737be77901.jpg?v=1743646728","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16400d-6tl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}