{"product_id":"is42s16400j-6tli","title":"IS42S16400J-6TLI","description":"\u003ch2\u003e IS42S16400J-6TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eIS42S16400J-6TLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 64 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Cette SDRAM dispose d'une organisation mémoire 4M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un débit de données élevé et des performances constantes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un fonctionnement réactif dans les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 4M x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 54-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire IS42S16400J-6TLI est conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile fiable et rapide, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les systèmes informatiques embarqués, les équipements de télécommunications et les objets connectés. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa technologie SDRAM éprouvée la rendent idéale pour les déploiements critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et solutions de mémoire haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous garantissons l'authenticité de nos composants, provenant directement de distributeurs agréés. Chaque unité IS42S16400J-6TLI est soumise à des contrôles qualité rigoureux afin d'assurer une fiabilité et des performances constantes sur le long terme pour vos projets.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Découvrez les produits associés\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eVous recherchez d'autres solutions de mémoire ? Parcourez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs de mémoire semi-conducteurs : solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003ecollection complète de mémoires\u003c\/a\u003e comprenant des dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM allant de 64 bits à 6 térabits avec des interfaces I2C, SPI et parallèles pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des lancements de produits et des tendances du secteur en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115909677345,"sku":"IS42S16400J-6TLI","price":5.92,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_acefaf8e-53c5-4efd-8aa4-bd14eb82c599.jpg?v=1743642261","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s16400j-6tli","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}