{"product_id":"is42s16800f-6tli-tr","title":"IS42S16800F-6TLI-TR","description":"\u003cp\u003e L' \u003cstrong\u003eIS42S16800F-6TLI-TR\u003c\/strong\u003e est une DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbit d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes nécessitant un accès mémoire fiable et rapide.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré SDRAM dispose d'une architecture mémoire 8M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances robustes à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès remarquable de 5,4 ns. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V, il est optimisé pour les applications à faible consommation sur une large plage de températures allant de -40 °C à 85 °C.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003ePrincipales caractéristiques et avantages :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de mémoire SDRAM volatile de 128 Mbit pour un traitement de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e La fréquence d'horloge de 166 MHz garantit un débit de données rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Temps d'accès de 5,4 ns pour une latence minimale dans les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier CMS 54-TSOP II pour assemblage automatisé et agencement de circuits imprimés compact.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) pour une fiabilité en environnement difficile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS en matière de normes de sécurité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conditionnement en bande et bobine pour le déploiement à l'échelle de la production\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eApplications idéales :\u003c\/strong\u003e systèmes embarqués, contrôleurs industriels, équipements de réseau, électronique automobile, infrastructure de télécommunications et toute application nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e HQICKEY fournit des composants ISSI authentiques avec un support complet tout au long du cycle de vie, une documentation technique et une expédition mondiale pour garantir que vos besoins de production soient satisfaits en toute confiance.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8 m x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e  \u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eRessources connexes :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Collection de circuits intégrés de mémoire\"\u003eExplorez notre collection complète de circuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e : découvrez nos solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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