{"product_id":"is42s16800j-7bli-tr","title":"IS42S16800J-7BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S16800J-7BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S16800J-7BLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes à microcontrôleur nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 8 M x 16 offre une flexibilité d’adressage mémoire pour diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la plage de températures de -40 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface LVTTL assure une intégration transparente avec les systèmes embarqués existants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation fiable :\u003c\/strong\u003e tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les rails d’alimentation standard des systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8 m x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVTTL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TFBGA (8x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile haute vitesse et une fiabilité éprouvée. Applications courantes :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle de vol et avioniques aérospatiaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Unités de commande de moteur automobile (ECU) et plateformes ADAS\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire tampon haute performance pour FPGA et microcontrôleur\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Depuis plus de trente ans, ISSI s'est imposée comme un fournisseur de confiance de solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité. L'IS42S16800J-7BLI-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, offrant des performances constantes sur une large plage de températures et dans des conditions d'utilisation rigoureuses. Conditionné en bande et bobine, ce composant est optimisé pour les processus d'assemblage automatisés dans les environnements de production à grand volume.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant les composants DRAM, SRAM, Flash et EEPROM des plus grands fabricants. 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