{"product_id":"is42s32200c1-7ti-tr","title":"IS42S32200C1-7TI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32200C1-7TI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire DRAM synchrone IS42S32200C1-7TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués. Cette SDRAM à interface parallèle dispose d'une architecture mémoire 2M x 32, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et d'un temps d'accès de 5,5 ns, garantissant un traitement des données rapide et efficace pour vos applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de mémoire de 64 Mbit avec une organisation de 2M x 32\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence d'horloge haute vitesse de 143 MHz avec un temps d'accès de 5,5 ns\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Tension d'alimentation de 3,3 V (3,15 V ~ 3,45 V)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier CMS 86-TSOP II pour une conception de PCB compacte\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une plage de températures de fonctionnement étendue.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support tout au long du cycle de vie et des ressources techniques pour garantir le succès de votre conception.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3,15 V ~ 3,45 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TFSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116602655009,"sku":"IS42S32200C1-7TI-TR","price":16.75,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_86TSOPII-10.16_86_9b0502a3-2de9-4822-acbc-5ddc5d3780a4.jpg?v=1743659674","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s32200c1-7ti-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}