{"product_id":"is42s32200e-7tl-tr","title":"IS42S32200E-7TL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32200E-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S32200E-7TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, avec une disponibilité à long terme éprouvée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,5 ns pour un traitement rapide des données dans les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation mémoire flexible :\u003c\/strong\u003e configuration 2M x 32 (capacité totale de 64 Mbits) optimisée pour les applications d’interface parallèle 32 bits et les contrôleurs embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel dans divers environnements.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e 86-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des circuits imprimés compacts et peu encombrants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb et à la conformité réglementaire internationale.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTraçabilité complète :\u003c\/strong\u003e documentation complète, certification de conformité et traçabilité des lots disponibles pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAssistance longue durée :\u003c\/strong\u003e Conçue pour une disponibilité prolongée afin de prendre en charge les cycles de vie de plusieurs années des produits dans les applications aérospatiales, industrielles et médicales.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré SDRAM est conçu pour les applications critiques, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, l'électronique automobile (ADAS, infodivertissement), l'infrastructure des télécommunications, l'avionique aérospatiale et les systèmes de défense, où la disponibilité sur un long cycle de vie, la fiabilité éprouvée et la traçabilité complète sont des exigences essentielles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Assistance à la conception et ressources techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e En tant que distributeur agréé, nous proposons une assistance complète à l'intégration, incluant fiches techniques, schémas de référence, notes d'application, conseils techniques et exemples de programmes, afin d'aider les ingénieurs à intégrer ce composant en toute simplicité dans leurs systèmes. Notre équipe technique offre un accompagnement sur la conception d'interfaces mémoire, l'intégrité du signal, la gestion de l'alimentation et l'optimisation système.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eSDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TFSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Informations sur les commandes et la disponibilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eConditionnement :\u003c\/strong\u003e Disponible en bande et bobine pour l’assemblage automatisé et la production en grande série. Contactez notre équipe technico-commerciale pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison, les options de conditionnement personnalisées et les contrats d’approvisionnement à long terme adaptés à vos besoins tout au long du cycle de vie de vos produits.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources et catégories de produits connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Composants de mémoire - Solutions SDRAM, DRAM, Flash et SRAM\"\u003ecomposants de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant SDRAM, DRAM, SRAM, mémoire flash et EEPROM, pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications. 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