{"product_id":"is42s32200l-5tl-tr","title":"IS42S32200L-5TL-TR","description":"\u003ch2\u003e Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbits\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe circuit intégré \u003cstrong\u003eIS42S32200L-5TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 4,8 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 4,8 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e l'organisation 2M x 32 offre une flexibilité d'adressage mémoire pour les systèmes embarqués complexes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une utilisation polyvalente.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface mémoire parallèle assure la compatibilité avec les architectures système existantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,8 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TFSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e \u003ch3\u003eApplications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est spécialement conçu pour les systèmes embarqués critiques, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e calculateurs automobiles et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition de données à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Depuis plus de trente ans, ISSI s'est imposée comme un fournisseur de confiance de solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité. La puce IS42S32200L-5TL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, la performance et la fiabilité dans les applications exigeantes où la moindre défaillance est inacceptable. Chaque composant est soumis à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute la plage de températures de fonctionnement.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de semi-conducteurs de mémoire\"\u003esolutions de mémoire semi-conductrice,\u003c\/a\u003e incluant les composants EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour vos systèmes embarqués. 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