{"product_id":"is42s32200n-6bl-tr","title":"IS42S32200N-6BL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32200N-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003epuce IS42S32200N-6BL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et critiques exigeantes. Ce dispositif DRAM volatil dispose d'une organisation mémoire 2M x 32, d'une fréquence d'horloge rapide de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications nécessitant un traitement rapide des données et des performances exceptionnelles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eArchitecture mémoire robuste :\u003c\/strong\u003e capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 pour une gestion flexible de la mémoire\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de qualité industrielle :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface LVTTL :\u003c\/strong\u003e Interface TTL basse tension pour un fonctionnement écoénergétique avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVTTL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\t \u003ctd\u003eTempérature de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une disponibilité sur un long cycle de vie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées et systèmes d'acquisition de données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI est réputée pour fournir des composants semi-conducteurs de qualité industrielle, d'une fiabilité exceptionnelle et d'une disponibilité produit à long terme. Le modèle IS42S32200N-6BL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, offrant des performances constantes même dans des conditions d'utilisation exigeantes et une durée de vie prolongée, essentielles pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Explorez davantage de solutions semi-conducteurs haut de gamme\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de composants haute fiabilité :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003eDispositifs de mémoire semi-conducteurs\u003c\/a\u003e - Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire EEPROM, Flash, DRAM et SRAM.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme pour systèmes critiques\"\u003ePage d'accueil HQICKEY\u003c\/a\u003e - Découvrez notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Dernières actualités et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs\"\u003eBlog technique et actualités du secteur\u003c\/a\u003e - Restez informé des dernières tendances et annonces de produits en matière de technologies semi-conductrices.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116112838945,"sku":"IS42S32200N-6BL-TR","price":9.03,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_90TFBGA-1.2-8X13_90_caf9d751-3bed-4c1d-afe3-d15becd34a33.jpg?v=1743648093","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s32200n-6bl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}